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基礎(chǔ)信息Product information

產(chǎn)品名稱：國(guó)產(chǎn)semight聯(lián)訊SA8000半導(dǎo)體參數(shù)分析儀

產(chǎn)品型號(hào)：

更新時(shí)間：2026-09-30

產(chǎn)品簡(jiǎn)介：

國(guó)產(chǎn)semight聯(lián)訊SA8000半導(dǎo)體參數(shù)分析儀可完成從基礎(chǔ)的電流-電壓（IV）、電容-電壓（CV）表征，到快速精準(zhǔn)的脈沖IV測(cè)試等全測(cè)量。其18槽模塊化設(shè)計(jì)支持按需添加或升級(jí)測(cè)量模塊，靈活應(yīng)對(duì)不斷變化的測(cè)試需求。作為集成化測(cè)試平臺(tái)，SA8000致力于為全球半導(dǎo)體研發(fā)工程師提供精準(zhǔn)、高效的測(cè)量方案。

產(chǎn)品特性Product characteristics

?“精"——上海市先JIN企業(yè)!

“專"——專注工業(yè)測(cè)試十六年!

“特"——德國(guó)萊茵TUV認(rèn)證供應(yīng)商!

“新"——注冊(cè)資本實(shí)繳壹仟萬(wàn)元!實(shí)繳資金行業(yè)中居前茅!抗金融風(fēng)險(xiǎn)能力強(qiáng)!

國(guó)產(chǎn)semight聯(lián)訊SA8000半導(dǎo)體參數(shù)分析儀應(yīng)用領(lǐng)域

CMOS 晶體管

Id-Vg, Id-Vd, Vth, Breakdown, Capacitance, Self-heating reduction, etc.

雙極結(jié)型晶體管 (BJT)

Ic-Vc, Diode, Gummel plot, Breakdown, hFE, Capacitance, etc.

分立器件

Id-Vg, Id-Vd, Ic-Vc, Diode, etc.

存儲(chǔ)器

Vth, Capacitance, Endurance test, etc.

功率器件

Pulsed Id-Vg, Pulsed Id-Vd, Breakdown, etc.

納米器件

Resistance, Id-Vg, Id-Vd, Ic-Vc, etc.

可靠性測(cè)試

NBTI/PBTI, Charge pumping, Electromigration, Hot Carrier Injection, V-Ramp, J-Ramp, TDDB, etc.

國(guó)產(chǎn)semight聯(lián)訊SA8000半導(dǎo)體參數(shù)分析儀是一款多功能、高集成度的參數(shù)分析儀，致力于實(shí)現(xiàn)高效、精準(zhǔn)的電子器件表征。

SA8000參數(shù)分析儀可完成從基礎(chǔ)的電流-電壓（IV）、電容-電壓（CV）表征，到快速精準(zhǔn)的脈沖IV測(cè)試等全測(cè)量。其18槽模塊化設(shè)計(jì)支持按需添加或升級(jí)測(cè)量模塊，靈活應(yīng)對(duì)不斷變化的測(cè)試需求。作為集成化測(cè)試平臺(tái)，SA8000致力于為全球半導(dǎo)體研發(fā)工程師提供精準(zhǔn)、高效的測(cè)量方案。

特點(diǎn)

高測(cè)試平臺(tái)

亞飛安級(jí)電流分辨率

微弱電流探測(cè)0.1 fA（10-16 A）的電流測(cè)量分辨率

全集成多維度測(cè)試能力

靈活組合直流IV、CV及快速脈沖測(cè)量單元

無(wú)需編程的Quick Test模式

快速測(cè)試器件的特性曲線或關(guān)鍵參數(shù)

功能與優(yōu)勢(shì)

全功能/高精度測(cè)試測(cè)量

HPSMU 源測(cè)量分辨率（100nV/1fA）

HRSMU 源測(cè)量精度 （100nV/0.1fA）

HV-SPGU 超快速脈沖和瞬態(tài)IV測(cè)量 (Rise/Fall time, 20ns)

WGFMU 復(fù)雜波形的生成(ALWG)及快速測(cè)量(Fast I/V, 500MSa/s)

MFCMU 多頻率電容測(cè)量(10MHz)

SemiExpert專業(yè)軟件

支持開關(guān)矩陣（Switch）

支持探針臺(tái)(Prober)

開放的算法庫(kù) (Python)

實(shí)時(shí)圖表繪制 (Chart)

可選模塊

模塊

模塊名稱

占用槽位

測(cè)試項(xiàng)目

主要指標(biāo)

S2016C-SA

High Power Source Measure Unit

1

DC I-V

Pulsed I-V

電壓最高 200 V / 電流 1 A (脈沖模式可達(dá) 3 A)

最小分辨率：1 fA / 100 nV

S2017C-SA

High Resolution Source Measure Unit

1

DC I-V

Pulsed I-V

電壓最高 200 V / 電流 1 A

最小分辨率：1 fA / 100 nV

可選配前置單元支持 0.1 fA 及 IV/CV 切換

Z4001C-SA

Multi-Frequency Capacitance Measurement Unit

2

AC Impedance

C-V, C-f, C-t

頻率范圍：20 Hz 至 2 MHz

內(nèi)置 ±40 V 直流偏置

S3023P-SA

Semiconductor Pulse Generator Unit

2

2-Level/3-Level Pulse

ALWG

高壓輸出高達(dá) ±40 V

最小脈沖寬度：20 ns

S3033C-SA

Waveform Generator and Fast Measurement Unit

3

PG/Fast IV

ALWG

Transient Waveform Capture

波形生成編程分辨率：2 ns

250 MSa/s 同步高速測(cè)量

20 V 峰峰值輸出