產(chǎn)品名稱:ITO薄膜電阻測(cè)試
產(chǎn)品型號(hào):
更新時(shí)間:2026-09-23
產(chǎn)品簡(jiǎn)介:
ITO薄膜電阻測(cè)試玻璃片上鍍ITO電極這個(gè)玻璃有ito層可以導(dǎo)電,膠里有導(dǎo)電粒子,測(cè)導(dǎo)電粒子的電阻四探針方阻儀,薄膜金屬鍍層,電阻率測(cè)試儀,ITO膜硅片測(cè)試
“精"——上海市先JIN企業(yè)!
“專"——專注工業(yè)測(cè)試十六年!
“特"——德國(guó)萊茵TUV認(rèn)證供應(yīng)商!
“新"——注冊(cè)資本實(shí)繳壹仟萬元!實(shí)繳資金行業(yè)中居前茅!抗金融風(fēng)險(xiǎn)能力強(qiáng)!
ITO薄膜電阻測(cè)試
玻璃片上鍍ITO電極
這個(gè)玻璃有ito層可以導(dǎo)電,膠里有導(dǎo)電粒子,測(cè)導(dǎo)電粒子的電阻
四探針方阻儀,薄膜金屬鍍層,電阻率測(cè)試儀,ITO膜硅片測(cè)試
氧化銦錫,是一種置換固溶體,由90%In2O3和10%SnO2混合而成,具有高導(dǎo)電性和光學(xué)透明性,高質(zhì)量ITO薄膜的可見光透過率可超過90%。氧化銦錫主要用于制作液晶顯示器、平板顯示器、等離子顯示器、觸摸屏、電子紙、有機(jī)發(fā)光二極管、太陽能電池、抗靜電鍍膜、EMI屏蔽的透明傳導(dǎo)鍍膜等。西安科技大學(xué)科研團(tuán)隊(duì)研發(fā)出基于ITO薄膜的“透明電磁盾PAI"超材料吸收器,該器件利用“ITO-水協(xié)同損耗"機(jī)制,可用于解決煤礦井下等復(fù)雜工業(yè)環(huán)境中的寬頻電磁干擾問題,防護(hù)精密儀器,并拓展應(yīng)用于智能采礦、工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域。2017年10月27日,世界衛(wèi)生組織國(guó)際癌癥研究機(jī)構(gòu)公布的致癌物清單初步整理參考,氧化銦錫在2B類致癌物清單中。
氧化銦錫主要的特性是其電學(xué)傳導(dǎo)和光學(xué)透明的組合。高質(zhì)量ITO薄膜的可見光透過率可超過90%。然而,薄膜沉積中需要作出妥協(xié),因?yàn)楦邼舛入姾奢d流子將會(huì)增加材料的電導(dǎo)率,但會(huì)降低它的透明度。
基于這些特性,ITO在電磁屏蔽和超材料器件中具有應(yīng)用潛力,例如透明電磁盾PAI。
氧化銦錫薄膜最通常是物理氣相沉積、或者一些濺射沉積技術(shù)的方法沉積到表面。
因?yàn)殂煹膬r(jià)格高昂和供應(yīng)受限、ITO層的脆弱和柔韌性的缺乏、以及昂貴的層沉積要求真空,其它取代物正被設(shè)法尋找。碳納米管導(dǎo)電鍍膜是一種有前景的替代品(石墨烯是潛在的替代品之一)。這類鍍膜正在研發(fā)中。PEDOT和PEDOT:PSS已被開發(fā)出來。PEDOT:PSS層已經(jīng)進(jìn)入應(yīng)用階段(但它也有當(dāng)暴露與紫外輻射下時(shí)它會(huì)降解以及一些其他的缺點(diǎn))。別的可能性包括諸如鋁-參雜的鋅氧化物。
物質(zhì)使用
ITO主要用于制作液晶顯示器、平板顯示器、等離子顯示器、觸摸屏、電子紙、有機(jī)發(fā)光二極管、以及太陽能電池、和抗靜電鍍膜還有EMI屏蔽的透明傳導(dǎo)鍍膜。此外,基于ITO薄膜的透明、高導(dǎo)電特性,其被應(yīng)用于新型超材料吸收器(如“透明電磁盾PAI")中。此類器件通過“ITO-水協(xié)同損耗"等機(jī)制,能夠有效解決復(fù)雜工業(yè)環(huán)境中的寬頻電磁干擾問題,防護(hù)精密儀器,并拓展應(yīng)用于智能采礦、工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域。
ITO也被用于各種光學(xué)鍍膜,值得注意的有建筑學(xué)中紅外線-反射鍍膜(熱鏡)、汽車、還有鈉蒸汽燈玻璃等。別的應(yīng)用包括氣體傳感器、抗反射膜、和用于VCSEL激光器的布拉格反射器。2026年04月10日,有研究團(tuán)隊(duì)成功研制出用于臭氧監(jiān)測(cè)的微型傳感器。該傳感器采用自加熱ITO傳感器制造策略,以氧化銦錫玻璃為基底,通過飛秒激光刻蝕技術(shù)制成,尺寸僅為1.4×2.1×0.3立方毫米,實(shí)現(xiàn)了對(duì)臭氧的精準(zhǔn)、快速、穩(wěn)定監(jiān)測(cè),檢測(cè)結(jié)果與國(guó)際“金標(biāo)準(zhǔn)"紫外吸收法分析儀的相關(guān)性達(dá)93.6%。相關(guān)成果已發(fā)表于國(guó)際學(xué)術(shù)期刊《納米快報(bào)》,且該傳感器制備工藝簡(jiǎn)單,易于實(shí)現(xiàn)晶圓級(jí)批量生產(chǎn),性能一致性高,具備良好的量產(chǎn)潛力。
ITO薄膜應(yīng)力規(guī)可以在高于1400°C及嚴(yán)酷的環(huán)境中使用,例如氣體渦輪、噴氣引擎、還有火箭引擎。
ITO薄膜電阻測(cè)試 高阻表/體積電阻率測(cè)試儀
一、概述
ITO薄膜電阻測(cè)試ZC2685 高阻表采用高性能處理器控制,可在各種電氣、電子部件、電子設(shè)備的不同范圍內(nèi)使用的絕緣電阻測(cè)試, 輸出電壓可在 1V 分辨率下任意設(shè)置 0 ~±1000V【另有 1500V 版本】,可以測(cè)試 500Ω ~9.9PΩ 也就是 16 次方的電阻,換算成表面/體積電阻率的話可達(dá) 19 次方, 最大顯示 99999 讀數(shù)。儀器搭載放電功能, 表面電阻、體積電阻率測(cè)試功能, 具有校正功能,全量程開路清零,搭載豐富的接口配置。 應(yīng)用于測(cè)量各種電子元件、設(shè)備、介質(zhì)材料和電線電纜等的絕緣電阻和漏電流;配套電極箱可測(cè)試材料的表面電阻和體積電阻率。
二、 應(yīng)用領(lǐng)域
生物材料、陶瓷、橡膠、絕緣材料、薄膜、介質(zhì)材料、電化學(xué)材料、鐵電材
料、石墨烯、有機(jī)材料、納米材料、納米發(fā)電機(jī)實(shí)驗(yàn)、聚合物、半導(dǎo)體、 電容器
泄漏電流、 電池薄膜、 噪聲濾波器、 設(shè)備絕緣、 涂層涂料、 外殼電鍍、 微小泄漏
電流、 光電耦合器初級(jí)/次級(jí)絕緣、 打印機(jī)墨粉輥軸、 絕緣密封件、 印刷電路板、
薄膜電容、 絕緣油、 異丙醇、 電線電纜、 無紡布紡織布紙、 藥丸藥粉、 食品醫(yī)藥
用樹脂、 防靜電地坪/臺(tái)面/工鞋工衣、 靜電消散包裝材料/工具等,符合
ANSI/ESD-S20.20, GB/T 1410、 GB 12014、 GB/T 20991、 GB 4385、 GB 12158、
GB 4655、 GB/T 12703、 GB 13348、 GB/T 15738、 GB/T 18044、 GB/T 18864、 GB/T22042、 GB/T 22043、 GB/T 24249、 GB 26539、 GB/T 26825、 GB 50515、 GB 50611、GJB 105、 GJB 3007A、 GJB 5104、 GB/T 15662、 GB/T 2439、 GB/T 1692、 ANSI/ASTM D257, JIS C2170, IEC61340, DIN1149, DIN54345 等標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范,進(jìn)行微小泄漏電流、防靜電電阻、 絕緣電阻、 表面電阻/率和體積電阻/率測(cè)試。
三、測(cè)試夾具
主電極直徑為 50mm,保護(hù)電極內(nèi)徑為 60mm,外徑為 80mm。
測(cè)量高絕緣電阻、介電性或容量性的測(cè)試物時(shí),作為測(cè)試物箱進(jìn)行電磁屏蔽,和砝碼電極組合使用時(shí),成為反電極或保護(hù)電極。
測(cè)量電容或變壓器等電子元器件時(shí),可以屏蔽掉外部干擾、泄露電流等,確保測(cè)量的穩(wěn)定。
電極和屏蔽箱組合使用,作為平板測(cè)試物電極,可進(jìn)行表面電阻和體積電阻的測(cè)量。
四、 ITO薄膜電阻測(cè)試ZC2685規(guī)格指標(biāo)參數(shù)
測(cè)試參數(shù)
絕緣電阻,漏電流,表面電阻,體積電阻率
回讀電壓精度0.5%
測(cè)試范圍
輸出電壓:程控1~1000V,調(diào)節(jié)步進(jìn)1V
絕緣電阻:100KΩ~10TΩ(體積電阻率可以到1000PΩ,也就是19次方)
漏電流:10pA~1mA
充電時(shí)間
0~999S可編程
測(cè)試時(shí)間
0~999S可編程
測(cè)試速度
快速:24次/秒;慢速:6次/秒
設(shè)置保存
儀器內(nèi)部5組或外部U盤
觸發(fā)方式
內(nèi)部連續(xù)測(cè)試/外部PLC信號(hào)/總線信號(hào)/腳踏開關(guān)觸發(fā)
比較器
信號(hào)輸出:PASS/FAIL
訊響:合格/不合格/關(guān)閉
限設(shè)置方式:2檔;值上/下限或僅單邊判斷